▲ 이번에 개발된 나노와이어 트랜지스터는 구부린 상황에서도 전기적 특성을 갖는다. 

 

플라스틱을 기판으로 사용한 전자소자와 산화아연을 활용한 트랜지스터 연구는 구부릴 수 있다는 장점 때문에 차세대에 주목받는 반도체 소자기술이다. 또한 반도체 나노선은 우수한 전기적, 광학적, 기계적, 열적 특성을 나타내기 때문에 전계효과트랜지스터, 발광소자, 논리회로(logic circuit) 등과 같은 다양한 나노소자의 기초 나노물질이 된다.

이 중 전계효과트랜지스터는 논리회로를 구성하는 가장 기본적인 단위소자로서, 특히 플라스틱을 기판으로 한 소자에 응용했을 때의 전도특성을 이해하는 것은 매우 중요한 과제로 꼽혀왔다.

이 교수팀은 탑 게이트(Top-gate)와 바텀 게이트(Bottom-gate)라는 두 가지 구조로 나노전자 소자를 제작한 뒤 휘어졌을 때 나타나는 전기적 특성 변화를 분석했다. 기판 위에 나노와이어 트랜지스터를 놓고, 트랜지스터 내부 게이트 전극의 위치를 위로 두는 것이 탑 게이트(Top-gate) 구조, 아래에 놓는 것이 바텀 게이트(Bottom-gate) 구조이다.

이러한 연구결과는 구부리거나 휘어진 경우에도 전기가 통하는 플라스틱 전자소자와 나노와이어 소자 응용기술의 융합으로 차세대 반도체 소자기술을 제조할 수 있는 기초를 다졌다는 데 의미가 있다. 이 교수팀의 연구는 세계적인 재료공학분야 국제학술지인 '어드밴스드 머티리얼스(Advanced Materials, Impact Factor: 8.191)'  최근호에 게재됐다.

이탁희 교수는 "현재 플라스틱을 기판으로 사용한 전자소자와 산화아연을 활용한 트랜지스터 연구는 세계 각국에서 활발하게 이뤄지고 있으며, 그 중에서 전도특성을 이해하는 것이 중요한 과제로 인식되고 있다"며 "산화아연 나노와이어 트랜지스터의 소자 전도특성을 이해함으로써 향후 플라스틱 나노전자회로 분야에 응용할 수 있을 것"이라고 말했다.

 

출처:사이언스타임즈